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NTHD3100CT1G中文资料

NTHD3100CT1G图片

NTHD3100CT1G外观图

  • 大小:148KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: DUAL P CHANNEL MOSFET, -20V, 1206A; Transistor Polarity:Dual P Channel; Continuous Drain Current Id:3.9A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.08ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1.2V ;RoHS Compliant: Yes
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:-
  • FET 型:N 和 P 沟道
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2.9A,3.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:80 毫欧 @ 2.9A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:2.3nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:165pF @ 10V
  • 功率 - 最大:1.1W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SMD,扁平引线
  • 供应商设备封装:ChipFET?
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:NTHD3100CT1GOSTR

NTHD3100CT1G供应商

更新时间:2023-02-02 23:01:34
  • 供应商
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